IPOWERSIM
鵬源電子開發的iPowerSIM，WWW.IPOWERSIM.COM，是一個結合電力電子功率器件及應用，適用于傳統硅材料、新型寬禁帶碳化硅、氮化鎵材料功率器件的電路、損耗、溫度、效率等系統級免費在線式仿真網站。 iPowerSIM仿真網站應用范圍寬廣，幾乎適合所有電力電子應用的仿真。
電路拓撲多樣
從最簡單的Buck、Boost基礎電路，到電源流行的LLC諧振、Totem Pole PFC、新能源行業的三相逆變器、充電樁的維也納PFC、電網應用的MMC等多達30多種流行應用電路都囊括其中。
器件模型豐富
不論是傳統的硅（Si）材料器件，例如IGBT、MOSFET、Diode等，還是新型寬禁帶半導體材料如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）的MOSFET、Diode、HEMT等器件，都可以輕易地在iPowerSIM仿真網站中找到最適合的器件或者相近的器件模型。
應用領域廣泛
涵蓋最流行的拓撲和最先進器件的模型，從數十瓦的PD充電器、適配器、LED電源到礦機電源、服務器電源、充電樁模塊、光伏逆變器、電動汽車三電，再到MW甚至GW級別的牽引機車、電網高壓直流輸電等，都可以在iPowerSIM上里找到最優的拓撲及合適的器件模型，快速地得到損耗、效率和溫升等重要參數指標的仿真結果。
iPowerSIM操作簡單方便，無需下載安裝，僅需完成注冊即可在線進行仿真，仿真結果可以保存為PDF格式到個人電腦；iPowerSIM仿真速度極快，譬如Buck電路仿真僅需耗時十多秒，復雜的三電平、MMC拓撲僅需數十秒或數分鐘；iPowerSIM仿真精度高，通過參考規格書指標、與器件制造商溝通以及使用實驗方法實測器件動態特性等，鵬源的工程師不斷地對器件及電路建模進行反復驗證，讓仿真結果接近實際設計，更具有參考意義。
在選擇某一拓撲仿真時，可以同時選擇5個型號的主要功率器件（例如MOSFET）進行同一條件下同時仿真，結果同時保存，這極大方便了工程師對不同規格的器件進行設計比較，或者不同廠家同一規格器件的設計比較，甚至于不同材料器件，例如硅MOSFET和碳化硅MOSFET在同一設計條件下損耗及效率的直觀對比，對理解每個型號的特性有直觀的意義。
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